Ahora investigadores del ICFO en Barcelona han creado un dispositivo fototransistor basado en grafeno y puntos cuánticos (tampón de fosfato salino)
Desde que en el 2010 se otorgara el Premio Nobel de Física a Andre Geim y Konstantin Novoselov por sus experimentos con el grafeno, los científicos e ingenieros no han dejado de investigar este material de propiedades extraordinarias para aplicarlo en la industria de la electrónica.
Ahora investigadores del ICFO en Barcelona han creado un dispositivo fototransistor basado en grafeno y puntos cuánticos (tampón de fosfato salino) que, según sus promotores, podría cambiar el mundo de la optoelectrónica. El estudio se ha publicado en la revista Nature Nanotechnology y ha sido citado en medios como The Economist.
La innovadora tecnología “made in Spain” supone un avance hacia una nueva generación de dispositivos para telecomunicaciones y electrónica, según los autores.
Hasta ahora los fotodetectores de silicio que han hecho posible las actuales tecnologías TIC, desde cámaras, monitores, tabletas, móviles y demás productos de electrónico de consumo, presentan limitaciones para aplicaciones que requieren la detección de luz.
Sin embargo, el tándem descubierto por el ICFO entre un material casi‐perfecto conductor de la electricidad como es el grafeno, junto con nanocristales ultra‐sensibles a la luz, puede convertirse en el nuevo material ideal para los fotodetectores.
Estos dispositivos podrían ser flexibles, ligeros y eficientes, abriendo la puerta a una nueva generación de electrónica de consumo. Además harían posible nuevas aplicaciones en sectores como la automoción, las múltiples aplicaciones de los sistemas de visión nocturna y en técnicas de imágenes biomédicas.
