Se trata, en esencia, del diseño de una celda de memoria que permite una miniaturización mucho mayor que la del actual DRAM
Investigadores del Laboratorio de Nanoelectrónica de la Universidad de Granada (España), tienen entre manos el que podría convertirse en un nuevo estándar en el almacenamiento digital: la memoria A-RAM.
Se trata, en esencia, del diseño de una celda de memoria que permite una miniaturización mucho mayor que la del actual DRAM, presente en la mayoría de ordenadores, smartphones y consolas, al eliminar el condensador y montar solo un transistor en cada celda.
Las bases de la memoria de acceso rápido se han mantenido inalteradas los últimos 60 años: desde su invención en los años 60 por Robert Dennard en IBM (EEUU), las instrucciones y los datos necesarios para el funcionamiento de un ordenador se almacenan en forma de ceros (ausencia de carga) y unos (presencia de carga) en arrays de celdas de memoria DRAM (Dynamic Random Access Memory). Las celdas de memoria DRAM están formadas por un transistor y un condensador (ó 1T-1C-DRAM), es decir, cada bit de información se almacena en forma de carga eléctrica en una celda formada por un condensador (que almacena la carga) y un transistor a través del cual se accede a dicha carga y, por lo tanto, a la información.
El modelo de A-RAM español elimina el condensador, la parte más difícil de escalar, y almacena toda la información en el transistor, que también sirve el acceso a los datos. De este modo se consigue una memoria mucho más pequeña que proporciona tiempos de retención muy largos, muy bajo consumo de energía y una gran separación entre ambos niveles lógicos, lo que la hace especialmente inmune al ruido/interferencias y a la variabilidad de los procesos tecnológicos.
Los investigadores españoles Noel Rodríguez y Francisco Gámiz de la Universidad de Granada han sido los artífices de este nuevo modelo de almacenamiento digital.
