Investigadores del Laboratorio de Nanoelectrónica de la Universidad de Granada (España), tienen entre manos el que podría convertirse en un nuevo estándar en el almacenamiento digital: la memoria A-RAM.
Se trata, en esencia, del diseño de una celda de memoria que permite una miniaturización mucho mayor que la del actual DRAM, presente en la mayoría de ordenadores, smartphones y consolas, al eliminar el condensador y montar solo un transistor en cada celda.
Las bases de la memoria de acceso rápido se han mantenido inalteradas los últimos 60 años: desde su invención en los años 60 por Robert Dennard en IBM (EEUU), las instrucciones y los datos necesarios para el funcionamiento de un ordenador se almacenan en forma de ceros (ausencia de carga) y unos (presencia de carga) en arrays de celdas de memoria DRAM (Dynamic Random Access Memory). Las celdas de memoria DRAM están formadas por un transistor y un condensador (ó 1T-1C-DRAM), es decir, cada bit de información se almacena en forma de carga eléctrica en una celda formada por un condensador (que almacena la carga) y untransistora través del cual se accede a dicha carga y, por lo tanto, a la información.
El modelo de A-RAM español elimina el condensador, la parte más difícil de escalar, y almacena toda la información en el transistor, que también sirve el acceso a los datos. De este modo se consigue una memoria mucho más pequeña que proporciona tiempos de retención muy largos, muy bajo consumo de energía y una gran separación entre ambos niveles lógicos, lo que la hace especialmente inmune al ruido/interferencias y a la variabilidad de los procesos tecnológicos.
Los investigadores españolesNoel Rodríguez y Francisco Gámiz de la Universidad de Granada han sido los artífices de este nuevo modelo de almacenamiento digital.
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