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viernes, enero 27, 2023

Samsung arranca la producción de sus innovadoras memorias DDR3 4G

Samsung ha seguido avanzando en el escalado de DRAM, utilizando la litografía de inmersión ArE actual en sus nuevas memorias DRAM DDR3 de 4Gb y 20 nanómetros.

Samsung Electronics ha anunciado la producción en masa de las nuevas memorias DDR3 basadas en una nueva tecnología de procesos de 20 nanómetros, que serán utilizadas en una amplia gama de aplicaciones informáticas.

   Samsung ha seguido avanzando en el escalado de DRAM, utilizando la litografía de inmersión ArE actual en sus nuevas memorias DRAM DDR3 de 4Gb y 20 nanómetros.

   «La nueva y eficiente DRAM DDR3 20 nm ampliará rápidamente el mercado de la industria IT incluyendo los mercados de PC y móvil» afirmaba el vicepresidente ejecutivo de marketing de memorias en Samsung Electronics, Young-Hyun Jun.

   En este tipo de memorias, cada celda cuenta con un condensador y un transistor conectados entre sí, haciendo el escalado más difícil que con una memoria NAND Flash. Para continuar escalando el DRAM más avanzado, la multinacional surcoreana ha redefinido  su diseño y fabricación de tecnologías y viene con un patrón doble modificado y la deposición de capas atómicas.

   Esta tecnología  permite la producción de DDR de 20nm utilizando equipamiento actual de litografía y estableciendo la tecnología ‘core’. Samsung ha creado también capacitadores de celdas dieléctricas ultrafinas, lo que da como resultado celdas con un mayor rendimiento.

   Además, los nuevos módulos basados en DDR3 4G 20nm, pueden ahorrar hasta un cuarto de la energía consumida por módulos equivalentes fabricados utilizando la anterior tecnología de procesos de 25 nanómetros.

ep

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