Intel trabaja en una memoria 1000 veces más rápida que la Flash

Al parecer podríamos estar ante la primera gran actualización de los chips de memoria.

El almacenamiento de datos es hoy en un día una cuestión habitual de nuestra vida, gran parte de nuestra información está almacenada de forma digital en servidores por todo el mundo, de igual forma, tenemos datos en nuestro ordenador, smartphone, discos duros y diversas unidades de almacenamiento. Pero es curioso que el chip de memoria que usamos actualmente, fue creado en 1989, sí, hace 26 años.

Al parecer podríamos estar ante la primera gran actualización de los chips de memoria, esto gracias a que el día de hoy, Intel y Micron Technologies dieron a conocer que ya han arrancado con la producción del nuevo y revolucionario chip 3D Xpoint, una nueva categoría de memoria no volátil que aseguran, es 1000 veces más rápida que la arquitectura NAND.

Una revolución en el almacenamiento de datos

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La arquitectura NAND es la que hace posible el uso de la memoria Flash en tarjetas de memoria, así como en unidades SSD. Este tipo de memoria ofrece muchas ventajas y su precio sigue disminuyendo con el paso del tiempo, el problema es que aun con estas ventajas, es mucho más lenta que la DRAM, que es actualmente la más veloz del mercado, pero también la más cara, además de que es volátil.

Según Intel y Micron, su nueva memoria 3D Xpoint traerá lo mejor de ambos mundos, es decir, no volátil, asequible y lo más importante, 1000 veces más rápida que la NAND y 10 veces más rápida que DRAM, algo que muchos expertos creían imposible.

La tecnología que usa 3D Xpoint es posible gracias a que omite el uso de transistores, basándose exclusivamente en un material que es capaz de cambiar los bits de baja resistencia a un estado de alta resistencia. El diseño del entramado es una especie de ajedrez tridimensional, que permite que los datos se almacenen y se recuperen de forma individual a una gran velocidad.

 

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